| Titre : | L'avènement des mémoires flash (2004) |
| Auteurs : | Gabriel Martin, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | La Recherche (Paris. 1970) (375, 05/2004) |
| Article en page(s) : | p.84-85 |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | périphérique de stockage / support numérique / 2001-2009 |
| Résumé : | Analyse, en 2004, des avantages des clés USB comparées aux autres supports de stockage. Principe de fonctionnement du transistor à effet de champ qui compose la mémoire flash des clés USB. Schémas : transistor à effet de champ et composants d'une clé USB. Schéma. |
| Nature du document : | documentaire |
| Genre : | Article de périodique |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| 4706 | PER | Périodique | CDI | Documentaire | Disponible |

